FT838D價格,FT838D現貨

基本參數：

輸入電壓范圍：90~264V

輸出電壓/電流：5V/2.1A

尺寸：43*40mm

典型效率：74%

EMI：pass

空載待機功耗：<150mW

zui大輸出紋波：<200mVp-p

產品優(yōu)勢

1、滿足能源之星2.0和5能效；

2、批量輸出電壓精度電流精度±5%

以內；

3、保護功能齊，可靠性好；

4、滿足EN55022 ClassB EMI要求；

特點

無需光耦及TL431反饋
節(jié)能模式：脈沖頻率調制控制模式(PFM)
內置抖頻功能來改善 EMI性能
每個開關周期的電流限制
VCC過壓保護(OVP)
欠壓鎖定(UVLO)
輸出短路保護
內置輸出線損補償
輸入線電壓補償以提高輸出電流精度

芯片版本與管腳定義

表1：FT838D/FT838R 芯片功能

芯片本版 線損補償比例
FT838D0 0%
FT838D1 3%
FT838D2 6%
FT838D3 9%
FT838R N/A
FT838D內置輸出線損補償，用戶可根據實際輸出導線情況選擇合適的芯片版本。FT838R主要應用于LED驅動應用，故無線損補償。

管腳號 管腳名稱 I/O 注解
1 FB I 輸出電壓反饋端
2 GND I 芯片的大地
3 CS I 初電流檢測端
4 OUT O NPN開關管的基極驅動端
5 VCC I 供電端

內部工作框圖

恒壓控制
原邊反饋的控制方法可以在無需副邊電壓與電流檢測的情況下實現精確的恒壓/恒流控制。圖 2是典型應用線路。圖3是芯片內部框圖，圖4是些主要的波。副邊輸出狀態(tài)是在功率三極管關斷時從原邊的輔助繞組得到的。使用*的采樣方法來檢測輸出繞組電壓(Vs)和副邊二極管的放電時間(Tdis)。 采樣后的電壓與內部的參考電壓(VFB)比較后再通過調制誤差放大器的輸出來確定開關管的關斷時間。從而實現了精確的輸出電壓調節(jié)。

恒流控制
圖4所示，輸出電流Io在斷續(xù)模式(DCM)的反激拓撲中可以通過方程(1) 來表達。

降頻工作模式
原邊反饋控制芯片在恒壓工作模式下時，工作頻率隨著負載電流的減小而減小，負載電流減小到零時，頻率降到zui低。有了這種控制模式，電源控制芯片能輕松滿足zui嚴格的功率轉換效率的要求。同時為了改善輸出瞬態(tài)相應特性，在頻率隨負載電流減小的同時降低原邊峰值電流，避免空載時輸出頻率過低，達到提高輸出瞬態(tài)相應速度的目的。

頻率抖動
這款原邊反饋控制芯片集成了內部的抖頻功能來改善 EMI的性能。

輸出電壓電流特性
電池充電器般會設計兩種工作模式，恒壓充電與恒流充電。圖5所示為充電器基本的充電特性。當電池電壓很低時，充電器工作在恒流充電狀態(tài)。這是電流充電的主要方式。當電池電壓達到它的zui終電壓時，電流便逐漸停止。充電器便進入恒壓充電模式。zui終，充電電流逐漸減小直到零。

啟動電路

當電源啟動時，如圖6所示，輸入電壓Vbus通過啟動電阻R1對電容C1進行充電。當電容的電壓(VCC)達到芯片啟動電壓(VCC-ON)時，原邊反饋控制芯片開始啟動。

VCC欠壓鎖定

這款原邊反饋控制芯片的開啟和關斷門檻固定在17.67V和6.6V。在啟動時，VCC電容必須通過啟動電阻R1充電至17.6V從而來啟動控制芯片。在能量不能從輔助繞組中得到時，VCC電容將直對控制芯片供電，直到輔助繞組開始對VCC供應大于6.6 V的電壓。如果VCC電壓低于6.6V，芯片將進入VCC欠壓鎖定狀態(tài)，關閉芯片內部的些電路，此時，Vbus通過R1給電容C1充電，直到VCC電壓達到17.6 V，芯片再次啟動，打開所有的內部電路。這個欠壓鎖定的滯環(huán)將保證在啟動時VCC電容足夠對控制芯片供電。
輸入欠壓保護
這款原邊反饋控制芯片有個內置的輸入欠壓保護功能。如圖9所示,當功率三極管Q1導通時

輸出線損補償
控制芯片內置個線端補償功能來補償輸出導線的電壓損失。不同的輸出線規(guī)格和長度將會導致不同的線端輸出電壓。

LEB時間
每次功率三極管Q1開通時，由吸收二極管D5的反向恢復和功率三極管Q1的寄生電容以及變壓器原邊繞組的匝間分布電容所產生的尖峰將會反映在CS的檢測信號上。為了防止功率三極管Q1的誤動作，這款原邊反饋控制芯片的檢測將會在上升沿有段時間空白（LEB）。在這空白的時間內，芯片關斷輸出。這款芯片的LEB時間約為400ns。